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特種稀有氣體(含氟)氣體

三氟化氮

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產(chǎn)品詳情

產(chǎn)品介紹:

        三氟化氮(NF3),是一種無色、無臭、性質(zhì)穩(wěn)定的氣體,是一種強(qiáng)氧化劑。三氟化氮熔點(diǎn)為-206.8℃,沸點(diǎn)為-129.0℃,不溶于水。三氟化氮在微電子工業(yè)中作為一種優(yōu)良的等離子蝕刻氣體,在等離子蝕刻時裂解為活性氟離子,對硅和氮化硅蝕刻時,采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳與氧氣的混合氣體有更高的蝕刻速率和選擇性,尤其是在厚度小于1.5μm的集成電路材料的蝕刻中,三氟化氮具有非常優(yōu)異的蝕刻速率和選擇性,在被蝕刻物表面不留任何殘留物,同時也是非常良好的清洗劑。

產(chǎn)品指標(biāo):

 

項(xiàng)目 Items

單位 Unit

指標(biāo) Indexs

三氟化氮(NF3)≥

Vol.%

99.5

99.9

99.98

99.99

99.996

四氟化碳(CF4)≤

Vol.ppm

1500

500

100

50

20

氮?dú)猓?/span>N2)≤

Vol.ppm

700

50

10

10

5

氧加氬(O2+Ar))≤

Vol.ppm

700

50

10

5

3

一氧化碳(CO)≤

Vol.ppm

50

10

10

5

1

二氧化碳(CO2)≤

Vol.ppm

25

10

10

5

0.5

氧化亞氮(N2O)≤

Vol.ppm

50

10

10

5

1

六氟化硫(SF6)≤

Vol.ppm

50

50

10

5

2

可水解氟化物Hydrolyzable fluoride(Measured by HF)≤

Vol.ppm

1

1

1

1

1

水(H2O)≤

Vol.ppm

1

1

1

1

1

 

產(chǎn)品用途:

        三氟化氮可用作高能化學(xué)激光氣的氟源,又可用于多晶硅、氮化硅、硅化鎢等半導(dǎo)體材料的蝕刻劑。其亦可用作半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的化學(xué)氣相沉積室和液晶顯示器面板的清洗劑,使用三氟化氮作為CVD箱清洗劑,與全氟烴相比,可減少污染物排放量約90%,且可顯著提高清洗速度,提升清洗能力。  

包裝、貯存:

        三氟化氮充裝在鋼質(zhì)無縫氣瓶中,鋼瓶容積分別為8L、40L、43.3L、47L;鋼瓶壓力為9.0-13.0MPa。具體包裝規(guī)格可根據(jù)用戶需求定制更改。


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廠房環(huán)境